单片正压控制的低控制电压高功率容量单刀双掷开关
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种单片正压控制的低控制电压高功率容量单刀双掷开关，包括开关堆叠模块一至四、隔直电容C1至C8，偏置电阻R1至R6；本发明通过隔直电容以及偏置电阻将射频开关电路中的晶体管偏置在固定电压下，使开关在大信号工作时保证漏极/源极到衬底的结电容不会由于发生正向偏置而导通，从而提高开关的功率容量，且不影响开关的工作频带、插入损耗、隔离度等指标，且电路结构简单，性能稳定，集成度高。
基本信息
专利标题 ：
单片正压控制的低控制电压高功率容量单刀双掷开关
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114374379A
申请号 ：
CN202111639765.6
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
原怡菲
申请人 ：
西安博瑞集信电子科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区鱼化街办天谷七路88号腾飞科汇城B座东楼22层
代理机构 ：
深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孟洁
优先权 ：
CN202111639765.6
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 17/687
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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