本发明提供一种数据读写方法、NAND控制器及介质，方法应用于NAND控制器，包括：接收需由目标芯片中的目标逻辑单元处理的页面写命令，并将页面写命令发送至目标逻辑单元，以使目标逻辑单元处理页面写命令；页面写命令为LSB页面写命令、CSB页面写命令或MSB页面写命令；判断目标逻辑单元是否进入繁忙状态；当判定目标逻辑单元进入繁忙状态时，接收需由其他芯片中的逻辑单元处理的读命令，并将读命令发送至对应的逻辑单元，以使读命令对应的逻辑单元处理读命令；可对读写命令进行有效调度，确保在目标芯片中的逻辑单元处理页面写命令时，其他芯片中的逻辑单元可并行处理读命令，进而可有效提升TLC NAND闪存的读写速度。