低共熔溶剂修饰的酸性羟基共轭微孔聚合物及其制备方法

实质审查的生效

摘要

本发明提供了一种低共熔溶剂修饰的酸性羟基共轭微孔聚合物及其制备方法，该制备方法主要涉及四(三苯基膦)钯和碘化铜催化的，以N,N‑二甲基甲酰胺和2,6‑二异丙基苯胺作为反应溶剂的Sonogashira‑Hagihara交叉偶联化学。另外，通过低共熔溶剂的修饰，对OH‑CMP有了一定量的氮掺杂，丰富了OH‑CMP的材料的元素种类，可以提高OH‑CMP作为其他复合材料的应用。其制备方法工艺简单、原料易得，所得到的DESs修饰‑OH官能团的共轭微孔聚合物（DESs‑OH‑CMP）具有很高的吸附、电化学等方面的应用价值。

基本信息

专利标题：

低共熔溶剂修饰的酸性羟基共轭微孔聚合物及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114276522A

申请号：

CN202111642250.1

公开（公告）日：

2022-04-05

申请日：

2021-12-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

朱涛

申请人：

河北大学

申请人地址：

河北省保定市五四东路180号

代理机构：

石家庄国域专利商标事务所有限公司

代理人：

张莉静

优先权：

CN202111642250.1

主分类号：

C08G61/12

IPC分类号：

C08G61/12

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C08

有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物

C08G

用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物

C08G61/00

由在高分子主链中形成碳-碳键合的反应得到的高分子化合物

C08G61/12

在高分子主链上含有碳原子以外原子的高分子化合物

法律状态

2022-04-22 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : C08G 61/12
申请日 : 20211229

2022-04-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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