一种微型原位测温高温原子分子蒸发和发射装置
实质审查的生效
摘要

本发明涉及一种微型原位测温高温原子分子蒸发和发射装置,包括:真空连接支座上安装有冷却套筒,冷却套筒的顶部安装有二级蒸气喷嘴、一级蒸气喷嘴和高温加热套筒,高温加热套筒内设置有双头坩埚,双头坩埚内放置有原子分子固态样品,双头坩埚的底部安装有测温探头,一级蒸气喷嘴和二级蒸气喷嘴均为可替换孔径式设计的蒸气喷出限束准直孔,冷却套筒用于冷却和屏蔽装置内部的高温;高温加热套筒用于加热双头坩埚;测温探头用于原位测量双头坩埚的内部温度;一级、二级蒸气喷嘴用于实现原子分子蒸气束流半径的一级、二级限束和喷射方向的一级、二级准直。与现有技术相比,本发明能够有效减少高温辐射、精准调控原子分子蒸气的束流半径及喷射方向。

基本信息
专利标题 :
一种微型原位测温高温原子分子蒸发和发射装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114381714A
申请号 :
CN202111647676.6
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-12-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
黄良玉陈纪辉钱育圆何贞岑江紫环傅云清姚科
申请人 :
复旦大学
申请人地址 :
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 :
上海科盛知识产权代理有限公司
代理人 :
叶敏华
优先权 :
CN202111647676.6
主分类号 :
C23C16/448
IPC分类号 :
C23C16/448  C23C16/455  C23C16/52  G01K13/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/448
产生反应气流的方法,例如通过母体材料的蒸发或升华
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/448
申请日 : 20211230
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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