防止高温热退火下表面分解和杂质并入的保护装置及方法
公开
摘要
本发明公开了一种防止高温热退火下表面分解和杂质并入的保护装置及方法，装置包括杯体和施压结构，施压结构用于将晶圆夹持于杯体内并对晶圆施加不小于1.96N的压力，施压结构与杯体的熔点均为1600℃以上，施压结构与杯体的材料均为惰性材料。采用本申请的退火装置，在进行高温热退火的时候，两个晶圆之间存在的微小空气泡在高温下发生膨胀时，能够通过施压结构与杯体对两个晶圆的夹持力将膨胀的气泡挤出，同时还可减弱样品高温下翘曲导致的表面分离，杯体的设计能够有效阻挡在高温热退火的时候，退火炉体中的杂质向晶圆样品扩散，以缓解高温热退火下，炉体的杂质对晶圆样品材料的污染问题，从而提高材料的结晶质量和产品良率。
基本信息
专利标题 ：
防止高温热退火下表面分解和杂质并入的保护装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293263A
申请号 ：
CN202111655564.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴华龙何晨光贺龙飞张康赵维陈志涛
申请人 ：
广东省科学院半导体研究所
申请人地址 ：
广东省广州市天河区长兴路363号
代理机构 ：
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李彬彬
优先权 ：
CN202111655564.5
主分类号 ：
C30B33/02
IPC分类号 ：
C30B33/02 C30B29/40 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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