去除晶圆表面杂质的方法
公开
摘要
本发明涉及微电子技术领域，公开了一种去除晶圆表面杂质的方法，包括：采用碱溶液对晶圆进行清洗；采用乙醇溶液对所述晶圆进行清洗；将所述晶圆置于真空室中，对所述晶圆进行加热。采用本发明实施例，能够有效去除晶圆表面残留的氟离子杂质，从而提高了晶圆的良率。
基本信息
专利标题 ：
去除晶圆表面杂质的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284130A
申请号 ：
CN202011029784.2
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2020-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张建
申请人 ：
东莞新科技术研究开发有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市南城区宏远工业区
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN202011029784.2
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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