一种控制清洗液滴溢流与气氛调节的装置
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种控制清洗液滴溢流与气氛调节的装置，涉及到单晶体清洗的技术领域，包括：安装座、第一喷淋装置、第二喷淋装置、第三喷淋装置、夹持装置及废液收集机构，安装座上设有废液收集机构，废液收集机构开设有安装槽，安装槽内设有放置机构，放置机构上设有夹持装置，废液收集机构的两侧分别设有第一喷淋装置及第二喷淋装置，废液收集机构的一端设有第三喷淋装置，第一喷淋装置、第二喷淋装置及第三喷淋装置均位于安装座的上端。三个喷淋装置对晶体全方面进行喷淋，反应更加均匀全面，夹持装置夹持晶体按圆周进行运动，使得晶体能够全方面的接受三个喷淋装置的喷淋进行反应，结构简单，操作方便，协调性高。
基本信息
专利标题 ：
一种控制清洗液滴溢流与气氛调节的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373700A
申请号 ：
CN202111674382.2
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘大威毛明军邓信甫徐铭
申请人 ：
至微半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫海路170号1幢3层03室
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
竺路玲
优先权 ：
CN202111674382.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/687 B08B3/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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