NAND芯片中写入块的读取方法、存储介质及设备
实质审查的生效
摘要

本发明提供了一种NAND芯片中写入块的读取方法、存储介质及设备,该方法包括:读取NAND芯片中写入块的数据时,获取所述写入块写入的字线数;根据所述字线数对所述写入块的默认读电压进行优化,得到所述写入块的优选读电压;根据所述优选读电压对所述写入块进行读取。本发明在读取NAND芯片中写入块Open Block的数据时,根据Open Block写入的字线数来自动优化该Open Block的读电压,用优化后的优选读电压去读取该Open Block,从而减小Open Block的失效位数,提高NAND芯片的读取效率。

基本信息
专利标题 :
NAND芯片中写入块的读取方法、存储介质及设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114530178A
申请号 :
CN202111678305.4
公开(公告)日 :
2022-05-24
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘刚刘晓健王嵩
申请人 :
北京得瑞领新科技有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园·北领地B-6号楼A座9层A905室
代理机构 :
北京慧智兴达知识产权代理有限公司
代理人 :
李丽颖
优先权 :
CN202111678305.4
主分类号 :
G11C16/04
IPC分类号 :
G11C16/04  G11C16/26  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
法律状态
2022-06-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/04
申请日 : 20211231
2022-05-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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