一种基于双层亚波长光栅的锗硅光电探测器
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种基于双层亚波长光栅的锗硅光电探测器,包括由下至上依次层叠的第一硅平板波导、锗亚波长光栅结构、硅亚波长光栅结构、第二硅平板波导;入射光分别从所述的第二硅平板波导的两端同时入射至所述的第二硅平板波导的中心区域;所述的第二硅平板波导与所述的硅亚波长光栅结构相互耦合,即利用波导的传播模式与硅亚波长光栅中的模式相耦合,将所述的第二硅平板波导面内传输的入射光通过所述的硅亚波长光栅结构耦合到面外出射;出射光会垂直入射至所述的锗亚波长光栅结构中,所述的锗亚波长光栅结构与所述的第一硅平板波导组成的复合结构利用导模共振效应吸收入射光,将入射光转换为光生电子‑空穴对,也即光生载流子。

基本信息
专利标题 :
一种基于双层亚波长光栅的锗硅光电探测器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114335207A
申请号 :
CN202111679688.7
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
董建文周鑫何辛涛陈晓东
申请人 :
中山大学
申请人地址 :
广东省广州市海珠区新港西路135号
代理机构 :
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 :
禹小明
优先权 :
CN202111679688.7
主分类号 :
H01L31/028
IPC分类号 :
H01L31/028  H01L31/0232  H01L31/09  
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/028
申请日 : 20211231
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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