一种用于信号放大的MOS管电阻及其偏置电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于信号放大的MOS管电阻及其偏置电路，所述MOS管电阻电路包括共源共栅电流镜控制电路以及与所述共源共栅电流镜控制电路连接的MOS管组；所述共源共栅电流镜控制电路包括多个晶体管；所述MOS管组包括P沟道的PMOS管和N沟道的NMOS管，所述PMOS管与所述共源共栅电流镜控制电路中的一段镜像支路连接，所述NMOS管与所述共源共栅电流镜控制电路中的另一段镜像支路连接。本实用新型相对于其他解决方案而言，具有高跨阻增益倍数、高精度、高线性度、低噪声、低功耗、体积小等优势。
基本信息
专利标题 ：
一种用于信号放大的MOS管电阻及其偏置电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121146089.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-05-26
授权号 ：
CN216216784U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
余占清张伟牟亚陈世萍严鑫
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张迎新
优先权 ：
CN202121146089.4
主分类号 ：
H03F1/26
IPC分类号 ：
H03F1/26
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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