一种低温升薄膜电容芯子及其电容器
授权
摘要

本实用新型公开了一种低温升薄膜电容芯子及其电容器,低温升薄膜电容芯子包括:依次层叠卷绕的第一薄膜和第二薄膜;第一薄膜包括第一基膜以及第一金属镀层,第二薄膜包括第二基膜以及第二金属镀层,第一金属镀层和第二金属镀层在基膜宽度方向上交错设置;第一金属镀层、第二金属镀层均包括有:一条连续镀层、若干个安全镀块以及若干条保险丝;保险丝与连续镀层的连接位置处设有第一圆角,保险丝与安全镀块的连接位置处设有第二圆角。在保险丝熔断时,只会从中间最窄的一小段断开,需要的能量和产生的热量都比较小,电容整体的温升较低,避免了芯子温度快速上升、薄膜收缩从而造成电容失效的情况出现,电容的安全性能大幅提高。

基本信息
专利标题 :
一种低温升薄膜电容芯子及其电容器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202121341277.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-06-16
授权号 :
CN216353808U
授权日 :
2022-04-19
发明人 :
陶文涛
申请人 :
东莞市纬迪实业有限公司
申请人地址 :
广东省东莞市塘厦镇塘厦岭南路142号2栋101室、201室、301室
代理机构 :
广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
徐鹏
优先权 :
CN202121341277.2
主分类号 :
H01G4/33
IPC分类号 :
H01G4/33  H01G4/228  H01G2/16  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器;电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器;及其制造方法
H01G4/33
薄膜或厚膜电容器
法律状态
2022-04-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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