一种屏蔽栅MOSFET
授权
摘要
本申请公开了一种屏蔽栅MOSFET，屏蔽栅MOSFET包括第一导电类型的漂移区、位于漂移区的顶部的沟槽以及位于沟槽的两侧的第二导电类型的体区；沟槽内设有栅极和屏蔽栅，栅极位于屏蔽栅的上方，体区的顶部靠近栅极的一侧设有第一导电类型的第一掺杂区；第一掺杂区的顶面设有源极，体区连接源极；屏蔽栅连接源极；栅极与第一掺杂区之间设有第一氧化层，栅极与体区之间设有栅氧化层，屏蔽栅与沟槽的内壁之间设有第二氧化层，栅极、第一氧化层和源极的顶面平齐，其中，第一氧化层的厚度大于栅氧化层的厚度。该屏蔽栅MOSFET在降低了栅漏电容的同时，降低了栅源电容，提高了屏蔽栅MOSFET响应速度。
基本信息
专利标题 ：
一种屏蔽栅MOSFET
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122114620.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-02
授权号 ：
CN216288470U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
李伟聪姜春亮雷秀芳
申请人 ：
深圳市威兆半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
代理机构 ：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
帅进军
优先权 ：
CN202122114620.6
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/78
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
