一种集束射频连接器端口结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种集束射频连接器端口结构，包括集束母头结构和集束公头结构，所述集束母头结构包括母头外壳体，母头外壳体在连接面处开设有插接槽，在插接槽的槽底开设有第一安装孔，在第一安装孔内安装有母头同轴连接器，插接槽在转角处采用圆弧过渡；所述集束公头结构包括公头外壳体，包括用于与插接槽配合连接的第一凸台以及位于第一凸台底部用于和母头外壳体连接面配合连接的第二凸台，第一凸台的形状与插接槽的形状相匹配，在第一凸台上开设与第一安装孔相对应的第二安装孔，在第二安装孔内设置公头同轴连接器；本实用新型能够满足多种连接工况需求，并且自带防反插结构，安全性好，使用灵活度高。
基本信息
专利标题 ：
一种集束射频连接器端口结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122303691.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-23
授权号 ：
CN216214641U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
刘建龙
申请人 ：
德尔特微波电子(南京)有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁经济开发区空港枢纽明瑞路15号
代理机构 ：
南京睿之博知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨晓玲
优先权 ：
CN202122303691.0
主分类号 ：
H01R24/40
IPC分类号 ：
H01R24/40 H01R24/50 H01R13/642 H01R13/652 H01R9/05
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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