一种带进料粉碎机构的单晶炉
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摘要

本实用新型公开了一种带进料粉碎机构的单晶炉,炉盖上安装有进料粉碎机构;进料粉碎机构包括粉碎室、搅拌主轴、防尘板和导流管,粉碎室呈卧式圆筒状,粉碎室一侧上方水平设有进料口,进料口通过倾斜设置的滑槽与粉碎室连通,进料口与滑槽连接处的上端转动连接防尘板,粉碎室的中心处水平设有搅拌主轴,搅拌主轴的一端与粉碎室外的电机输出端连接,搅拌主轴上圆周均匀设有多个长搅拌叶,搅拌主轴在相邻两个长搅拌叶之间固定有短搅拌叶,粉碎室内的上半筒壁均匀固定有多个粉碎块,粉碎室靠近炉盖的一侧下部开设出料口,粉碎室的出料口通过倾斜向下设置的导流管延伸至炉体内坩埚的上方;炉体在坩埚的正下方固定有接液槽。

基本信息
专利标题 :
一种带进料粉碎机构的单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122451267.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-10-12
授权号 :
CN216192868U
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
吴亚娟燕靖李远田
申请人 :
徐州美芯半导体材料科技有限公司;江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市金山桥开发区鑫芯路1号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202122451267.0
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  B02C18/14  B02C18/16  B02C18/18  B28D5/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-04-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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