进料装置及具有其的单晶炉
授权
摘要
本申请涉及一种进料装置及具有其的单晶炉，包括包裹体和引导体，包裹体的一侧与引导体的一侧固定连接，其中，包裹体和引导体均为中空结构，且包裹体与引导体连通，包裹体围设在用于输送硅散料的进料管的外围，并包裹进料管的出口，引导体未与包裹体相连接的一侧延伸至晶体生长设备的加料位置，以使进料管输送硅散料的过程中，硅散料沿引导体的内腔垂落至所述加料位置。通过在进料管外围围设进料装置，硅散料在进料过程中可沿进料装置内壁顺利垂落至指定加料位置，实现可靠的补充加料，避免了硅散料的飞溅浪费，保证了设备的安全，同时增加了产能。
基本信息
专利标题 ：
进料装置及具有其的单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921101362.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-12
授权号 ：
CN210765580U
授权日 ：
2020-06-16
发明人 ：
魏松涛关树军陈辉
申请人 ：
北京天能运通晶体技术有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济开发区经海路科创十五街1号
代理机构 ：
北京市鼎立东审知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈佳妹
优先权 ：
CN201921101362.4
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2020-06-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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