水冷热屏装置及具有其的单晶炉
授权
摘要
本申请涉及一种水冷热屏装置及具有其的单晶炉，水冷热屏装置包括进水管、出水管、水冷热屏本体、第一承重块组和第二承重块组；第一承重块组包括用于悬挂单晶炉的第一热场装置的第一承重块和第二承重块；第一承重块固定安装在进水管邻近水冷热屏本体一侧的管面上，第二承重块固定安装在出水管邻近水冷热屏本体一侧的管面上；第二承重块组包括用于悬挂单晶炉的第二热场装置的第三承重块和第四承重块；第三承重块位于第一承重块上，并与第一承重块可拆卸连接；第四承重块位于第二承重块上，并与第二承重块可拆卸连接。通过第一承重块组悬挂安装第一热场装置，第二承重块组悬挂安装第二热场装置，有效提高了水冷热屏装置的灵活性。
基本信息
专利标题 ：
水冷热屏装置及具有其的单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921071816.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-09
授权号 ：
CN210341123U
授权日 ：
2020-04-17
发明人 ：
包娜娜关树军陈辉
申请人 ：
北京天能运通晶体技术有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济开发区经海路科创十五街1号
代理机构 ：
北京市鼎立东审知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈佳妹
优先权 ：
CN201921071816.8
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-04-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
