一种新型异质结晶硅电池
授权
摘要
本实用新型属于光伏技术领域，涉及一种新型异质结晶硅电池，包括N型硅基体，N型硅基体的背面由内向外依次包括隧穿氧化层、N型非晶硅层、背场和背电极；N型硅基体的正面由内向外依次包括本征非晶硅层、P型非晶硅层、减反射层和正面电极。本实用新型继承了异质结晶硅电池的P‑i‑N结构的二极管特性，发挥了异质结电池和隧穿氧化层、非晶硅钝化接触具有高开路电压和不经受高温工艺的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种新型异质结晶硅电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122562360.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-22
授权号 ：
CN216213500U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
霍亭亭冯志强
申请人 ：
天合光能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
代理机构 ：
浙江永鼎律师事务所
代理人 ：
郭小丽
优先权 ：
CN202122562360.9
主分类号 ：
H01L31/0747
IPC分类号 ：
H01L31/0747 H01L31/0216 H01L31/20
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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