一种GaAs基偏振光分束器
授权
摘要
本实用新型属于光学器件应用技术领域，涉及偏振光分束器，尤其涉及一种GaAs基偏振光分束器。包括GaAs光栅衬底，所述GaAs光栅衬底的上方设置有上层光栅，所述上层光栅包括以Al2O3为材质的Al2O3光栅块和以AlGaAs为材质的AlGaAs光栅块，其中，所述Al2O3光栅块和AlGaAs光栅块交替设置，所述上层光栅的厚度小于GaAs光栅衬底的厚度设置。本实用新型通过Al2O3和AlGaAs为材质的光栅条结构、GaAs衬底，能够将800‑880nm(80nm)宽光谱范围的入射光束分成TE、TM两束正交偏振光，并且对TE模式偏振光的反射率大于95％，最大可达到99.99％，对TM模式偏振光的透射率大于96％，最大可达99.94％，且偏振消光比大于10dB，在830‑860nm光谱范围偏振消光比可以达到20dB以上，最高可达41.37dB。
基本信息
专利标题 ：
一种GaAs基偏振光分束器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122743946.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-10
授权号 ：
CN216210270U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
邱德全范鑫烨邱德武邱德才
申请人 ：
中企科信技术股份有限公司
申请人地址 ：
山东省聊城市高新技术产业开发区上海路89号
代理机构 ：
济南誉琨知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郝泳锐
优先权 ：
CN202122743946.5
主分类号 ：
G02B27/28
IPC分类号 ：
G02B27/28 G02B1/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B27/00
不能分入G02B 1/00-G02B 26/00,G02B 30/00的其它光学系统或其它光学仪器
G02B27/28
用于偏振
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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