SOT高密度包封模具结构
授权
摘要
本实用新型技术方案公开了一种SOT高密度包封模具结构，包括第一拼接件及通过连接组件与第一拼接件一端连接的第二拼接件，连接组件包括分别设置于第一拼接件及第二拼接件接触面的第一器件和第二器件，每两个第一器件之间设有与第二器件外部轮廓对应的第一仿形槽，每两个第二器件之间设有连接件，且连接件顶部空间与每两个第二器件之间形成第二仿形槽，第二仿形槽与第一器件外部轮廓对应。本实用新型技术方案解决了现有技术中的SOT封装密度不高，塑封率较低的问题。
基本信息
专利标题 ：
SOT高密度包封模具结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122749619.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-08
授权号 ：
CN216213297U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
陈永金林河北解维虎梁伟泉
申请人 ：
深圳市金誉半导体股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层（华昌路工业区14栋1-3层,17栋1-3层）
代理机构 ：
深圳市鼎泰正和知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
缪太清
优先权 ：
CN202122749619.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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