一种高磁通低损耗软磁结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高磁通低损耗软磁结构，包括上支撑壳，上支撑壳的底端可拆卸安装有下支撑壳，上支撑壳顶端的中心位置处固定有上固定片，上支撑壳顶部的中心位置处固定有下固定片，且下固定片的底端安装有绝缘套筒，绝缘套筒底端的中心位置处固定有主磁棒，上支撑壳和下支撑壳的结构相同，主磁棒的外表面固定有第三软磁环，且第三软磁环的外表面固定有第二软磁环。本实用新型不仅便于工作人员进行装配，增强软磁结构的装配便捷性，使得该软磁结构在具有低损耗、高磁通性能的基础上，体积仍有所保留，满足小型电器部件的使用需求。
基本信息
专利标题 ：
一种高磁通低损耗软磁结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122775564.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-14
授权号 ：
CN216250227U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
周建伟
申请人 ：
海宁伟业电子有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市盐官镇永力路2-1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122775564.0
主分类号 ：
H01F3/10
IPC分类号 ：
H01F3/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F3/00
磁芯，磁轭或衔铁
H01F3/10
磁路的复合配置
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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