高压硅堆二极管堆叠合金均衡受热的组合治具
授权
摘要
高压硅堆二极管堆叠合金均衡受热的组合治具，涉及一种高压硅堆二极管加工设备。包括一对对称设置在合金机内的垫隔层；垫隔层包括从上而下依次设置的钼板、隔热层和石墨托盘；堆叠合金压设在一对所述石墨托盘之间。将组合好的治具分别置于堆叠合金上下两端，与上下底座接触，以产生良好的隔热效果。由于石墨表面在加工过程形成的微观凹凸结构，可以在合金时将石墨与高温焊片之间的空气快速排出，防止合金块表面氧化。本实用新型具有结构紧凑、使用简便、上下两端受热均衡等特点。
基本信息
专利标题 ：
高压硅堆二极管堆叠合金均衡受热的组合治具
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122779897.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-12
授权号 ：
CN216250649U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
薛文韬王永彬高宇霍诗琪王毅
申请人 ：
扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期
代理机构 ：
扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭翔
优先权 ：
CN202122779897.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/329
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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