一种多芯结构的IGBT吸收电容器
授权
摘要

本实用新型提供了一种多芯结构的IGBT吸收电容器,包括芯子和端子引线,还包括壳体,所述芯子设置有至少两组依次并排设于所述壳体内;所述芯子之间通过端子引线进行并联连接,所述端子引线侧面设置有焊接板,所述端子引线的一端插入所述壳体,使得所述焊接板分别与所述芯子的两侧端面相焊接固定。本实用新型通过多芯设计,降低了杂散电感,提高了频率特性,整体电容性能提升,且保证了一个芯子损坏时,仍然能够保证电路板的正常运行。

基本信息
专利标题 :
一种多芯结构的IGBT吸收电容器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122793708.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-15
授权号 :
CN216562783U
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
黄灵春伍骞
申请人 :
四川中星电子有限责任公司
申请人地址 :
四川省成都市温江区成都海峡两岸科技产业开发园科兴路西段606号
代理机构 :
成都睿道专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
周自维
优先权 :
CN202122793708.5
主分类号 :
H01G4/224
IPC分类号 :
H01G4/224  H01G4/228  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器;电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器;及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/224
外壳;封装
法律状态
2022-05-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332