一种电极连接加热的炉底
授权
摘要

本实用新型涉及单晶炉技术领域,尤其为一种电极连接加热的炉底,包括炉底、阻尼垫和支撑块,所述炉底下端面左右两侧固定连接有调节块,所述调节块内侧螺旋连接有螺纹杆,所述螺纹杆下端固定连接有螺帽,所述螺帽下端固定连接有连接杆,所述连接杆和支撑座与支撑块之间通过滚珠和轴承转动连接在一起,所述炉底下端面中间通过导向杆固定连接有固定板,本实用新型中,通过设置的调节块、螺纹杆、螺帽和支撑块,在对电极连接加热的炉底进行安装的过程中可以对电极连接加热的炉底的水平程度进行相对的调节,这样的设置在制造的过程中对配件的精度较低,节省了制造的成本,同时在安装的过程中可以对炉底进行相应的调节,具有良好的便捷性。

基本信息
专利标题 :
一种电极连接加热的炉底
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122950544.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-29
授权号 :
CN216614926U
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
陈宝华苏小春王占峰
申请人 :
天津雷格盛通真空装备制造有限公司
申请人地址 :
天津市武清区大碱厂镇吉祥道南侧1号
代理机构 :
安徽善安知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
陈庭
优先权 :
CN202122950544.2
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-05-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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