低应力介质复合膜
授权
摘要
本实用新型涉及一种低应力介质复合膜，包括有单晶硅衬底，单晶硅衬底上分布有SiO2热氧化薄膜层，SiO2热氧化薄膜层上分布有SiO2薄膜层，SiO2薄膜层上分布有SiNx薄膜层。由此，通过对将薄膜的沉积参数的调整，让应力调节到接近于零应力。整体结构能构成适当的应力补偿，能够将SiO2薄膜层的压应力和SiNx薄膜层调节至相同，从而保证复合膜的低应力。整体构造简单，便于加工制造。
基本信息
专利标题 ：
低应力介质复合膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123025556.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
CN216698280U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
周望刘柏含刘泽文陈涛
申请人 ：
苏州希美微纳系统有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区9栋402室
代理机构 ：
北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘洪勋
优先权 ：
CN202123025556.0
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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