加强处理硅单晶定型前发散异味的冷却设施
授权
摘要

本实用新型公开了加强处理硅单晶定型前发散异味的冷却设施,包括隔热外壳,隔热外壳一侧设置有连接座,隔热外壳上端设置有连接筒,连接座内部设置有制冷机,制冷机上端设置有计时显示屏,制冷机靠近隔热外壳的一侧设置有冷凝管,冷凝管远离隔热外壳的一侧设置有冷却室,隔热外壳上端设置有微孔壁,微孔壁内部设置有透气微孔,微孔壁与连接筒之间设置有透气腔,透气强一侧设置有抽气机,微孔壁上端设置有限位圈;该加强处理硅单晶定型前发散异味的冷却设施通过设置微孔壁、透气腔、抽气机,提高了本实用新型的高效除异味性能;通过设置计时显示屏、冷凝管、第二网孔板,提高了本实用新型的冷却效率。

基本信息
专利标题 :
加强处理硅单晶定型前发散异味的冷却设施
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123051442.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-07
授权号 :
CN216473582U
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
郝磊王富波
申请人 :
天津华帅硅材料有限公司
申请人地址 :
天津市滨海新区自贸试验区(空港经济区)东九道45号1号厂房一层
代理机构 :
天津万信开元专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
杨娥
优先权 :
CN202123051442.3
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  C30B29/06  B08B15/04  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-05-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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