一种锗单晶炉出料口导向装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种锗单晶炉出料口导向装置，包括单晶炉、底座、第一排气装置、第二排气装置和坩埚转动装置，所述单晶炉底端与底座上端相连，底座底端设置有多组支撑腿，单晶炉底端一侧开设有第一排气装置。本锗单晶炉出料口导向装置，导向板外直径小于坩埚内直径中，连接块底端安装的导向板会对物料进行导向作用，使物料落入至坩埚中，使进料的过程更加顺畅，坩埚内安装的晶体棒对物料进行惰性气体分离，保温层可以对坩埚内的物料进行持续保持恒温，从而可以使晶体棒一直发挥作用，第一排气装置装置和第二排气装置结构一致，双重提取装置可以使单晶炉内腔中的惰性气体进行更好的导向排气，不会使单晶炉内腔中的惰性气体滞留。
基本信息
专利标题 ：
一种锗单晶炉出料口导向装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123061076.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
CN216338072U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
吕远芳
申请人 ：
保定三晶电子材料有限公司
申请人地址 ：
河北省保定市顺平县平安西街北侧（277号）
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123061076.X
主分类号 ：
C30B29/08
IPC分类号 ：
C30B29/08 C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/08
锗
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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