单晶炉腔体排气装置
授权
摘要
本实用新型涉及单晶炉技术领域，具体为单晶炉腔体排气装置，包括炉体和以及设置在炉体表面的排气管，所述排气管的表面设置有防护装置，所述防护装置包括固定环，所述固定环套在排气管的外部，并与排气管固定连接，所述固定环活动连接有盖子，所述固定环上连接有用于限制盖子翻转的限位部件。本实用新型通过设置防护装置，便于对炉体进行防护，可以有效的防止炉体排气处进入灰尘，降低炉体出现堵塞无法正常排气的情况，进而提高炉体整体的防护性。
基本信息
专利标题 ：
单晶炉腔体排气装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122707559.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-08
授权号 ：
CN216445499U
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
李远田佘辉郭晓琛
申请人 ：
徐州美芯半导体材料科技有限公司;江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市金山桥开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122707559.6
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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