一种新型硅单晶炉腔室焊接结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型公开了一种新型硅单晶炉腔室焊接结构,包括主炉体和内壁体,所述主炉体上端焊接固定有上法兰,且主炉体下端焊接固定有下法兰,所述内壁体设置于主炉体内侧,且主炉体内部镶嵌设置有密封圈,所述密封圈设置有预留凹槽,且预留凹槽另一侧设置有进水口,所述主炉体一侧开设有预留开槽。该新型硅单晶炉腔室焊接结构,在下法兰背面上加工宽12mm、深20mm的预留开槽,第一是为了通冷却水冷却法兰,二是焊接时离子弧不会穿透,在焊接内壁板的位置加工mm凸台高于法兰背面,这样整体焊缝就高于法兰背面,有利于焊接保护气体保护,除净焊接区的污渍和油脂,焊缝位置不开坡口,焊接时不添加填充金属(焊丝),直接熔融金属母材。

基本信息
专利标题 :
一种新型硅单晶炉腔室焊接结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922207140.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-11
授权号 :
CN211199472U
授权日 :
2020-08-07
发明人 :
谭凌宇戴永丰谭明
申请人 :
浙江德弘机电科技有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市平湖市新埭镇创业路333号4号厂房
代理机构 :
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张淼
优先权 :
CN201922207140.7
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06  C30B15/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
法律状态
2022-01-04 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 29/06
变更事项 : 专利权人
变更前 : 浙江德弘机电科技有限公司
变更后 : 浙江德弘机电科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 314000 浙江省嘉兴市平湖市新埭镇创业路333号4号厂房
变更后 : 314000 浙江省嘉兴市平湖市新埭镇创业路333号4号厂房
2020-08-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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