一种用于提高离化率的类金刚石碳膜沉积设备
授权
摘要
本实用新型属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种用于提高离化率的类金刚石碳膜沉积设备，包括沉积壳体、第一离子源离化装置、抽真空系统、脉冲直流偏压电源系统；第一离子源离化装置包括用于产生电子流的第一灯丝、用于通入气体使其与第一灯丝发出的电子碰撞电离的气源管；离子源离化装置包括离化壳体，离化壳体与沉积壳体相连接且离化壳体内腔与沉积壳体的内腔相连通，第一灯丝设置于离化壳体远离沉积壳体的一端；离化壳体内设有正交电磁场，使得灯丝发出的电子在电场和磁场共同的作用下能在离化装置产生螺旋运动，大大电子的运动路径长度和通入的气体产生电离的时间，从而提高离化率，使薄膜沉积更为迅速，从而符合大规模工业化生产的标准。
基本信息
专利标题 ：
一种用于提高离化率的类金刚石碳膜沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123224677.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
CN216738520U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
郎文昌张祖航章柯林琪澳张振华
申请人 ：
温州职业技术学院
申请人地址 ：
浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器
代理机构 ：
温州名创知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱海晓
优先权 ：
CN202123224677.8
主分类号 ：
C23C16/26
IPC分类号 ：
C23C16/26 C23C16/50 C23C14/06 C23C14/22
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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