一种稳定且离化率高的镀膜装置
授权
摘要
本实用新型提供一种稳定且离化率高的镀膜装置，属于真空镀膜技术领域，其包括离子源离化装置，离子源离化装置内设有钽空心管、外硼化铼片等；所述第二壳体上设有磁场组件，所述磁场组件用于在第二壳体内腔形成闭合的磁场，所述磁场与电场形成正交电磁场;所述第二壳体内设有通孔板与多个阳极栅网，所述阳极栅网与第二壳体之间电位悬浮；本实用新型设置阳极栅网既当阳极，形成电场与磁场正交，又可以加速离子引出，结合通孔板能大大提升电子的运动路径长度和通入的气体产生电离的时间，从而提高离化率；还通过设置钽空心管、外硼化铼片等通过协同作用，大大提高了电子的发射量。
基本信息
专利标题 ：
一种稳定且离化率高的镀膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123299967.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
CN216738498U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
张振华郎文昌林琪澳张祖航章柯
申请人 ：
温州大学;温州职业技术学院
申请人地址 ：
浙江省温州市瓯海区茶山高教园区
代理机构 ：
温州名创知识产权代理有限公司
代理人 ：
程嘉炜
优先权 ：
CN202123299967.9
主分类号 ：
C23C14/22
IPC分类号 ：
C23C14/22 C23C14/06 C23C14/50 C23C14/02 C23C14/35 C23C14/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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