一种纳米真空镀膜高分子抽离装置
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种纳米真空镀膜高分子抽离装置,包括箱体,箱体内壁相对的两侧之间固定连接有隔板,箱体内壁的顶部固定连接有喷头,箱体的内壁且位于隔板的上方固定连接有落料板,落料板的顶部固定连接有置放板,箱体内壁的底部依次固定连接有收集箱和真空泵,落料板的底部连通有落料管,落料管的底端延伸至收集箱内,落料管的表面设置有落料阀门,真空泵的一侧连通有吸气管,吸气管的表面通过三通接头连通有真空管,收集箱的底端连通有出料管,本实用新型涉及镀膜加工技术领域。该种纳米真空镀膜高分子抽离装置,解决了现有的真空镀膜装置无法对这些高分子镀料进行回收,导致加工成本增加的问题。

基本信息
专利标题 :
一种纳米真空镀膜高分子抽离装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920505384.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-15
授权号 :
CN209702855U
授权日 :
2019-11-29
发明人 :
江成龙
申请人 :
玛奇纳米科技(苏州)有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市常熟虞山高新技术产业园苏州路40号1幢
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201920505384.0
主分类号 :
C23C14/56
IPC分类号 :
C23C14/56  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/56
连续镀覆的专用设备;维持真空的装置,例如真空锁定器
法律状态
2022-04-08 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C23C 14/56
申请日 : 20190415
授权公告日 : 20191129
终止日期 : 20210415
2019-11-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332