一种防止多磁路单体形变的结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种防止多磁路单体形变的结构，包括磁路部与支架部，所述磁路部包括磁罩体以及设置在磁罩体同一个端面上的中心磁钢与边磁钢，至少两个边磁钢设置在中心磁钢的相对两侧，所述支架部与边磁钢贴合设置，所述支架部与磁罩体之间通过止动结构相连接，所述止动结构用以限制支架随边磁钢向中心磁钢一侧移动。本实用新型通过止动结构的设置，使边磁钢和中心磁钢吸附的时候受到磁罩体、支架体的支撑作用，避免边磁钢带动支架体往中心磁钢方向形变，以此提高耐受功率，提升产线良率。
基本信息
专利标题 ：
一种防止多磁路单体形变的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123241047.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
CN216626042U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
丁鹏魏建敏张凯张林峰伊仁鑫
申请人 ：
浙江旗声电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道之江路101号3幢
代理机构 ：
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
金亚丁
优先权 ：
CN202123241047.1
主分类号 ：
H04R9/02
IPC分类号 ：
H04R9/02 H04R9/06
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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