一种高静电耐量的IGBT门极模块
授权
摘要
本实用新型公开了一种高静电耐量的IGBT门极模块，包括封装下壳，所述封装下壳内部固定安装有门极模块主体，所述封装下壳上表面设置有封装上壳，所述封装下壳和封装上壳外表面均卡合安装有外框，所述外框上表面固定安装有离子风扇，所述外框外表面嵌入安装有防尘框。本实用新型所述的一种高静电耐量的IGBT门极模块，可以使散热翅片表面上的静电被中和，达到消除静电的目的，同时气流带走散热翅片上的热量，达到散热的目的，且通过滤棉防止空气中的灰尘进入设备内部，并通过防尘框对卡合在外框内部的封装下壳和封装上壳进行阻挡，使外框和封装下壳卡合的更加紧密，提高设备的整体强度。
基本信息
专利标题 ：
一种高静电耐量的IGBT门极模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123292139.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-25
授权号 ：
CN216563087U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
秦井武李小琼秦美仙
申请人 ：
深圳市优联电气技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123292139.2
主分类号 ：
H01L23/10
IPC分类号 ：
H01L23/10 H01L23/367 H01L23/00 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/10
按部件间，例如在容器的帽盖和基座之间或在容器的引线和器壁之间的封接的材料或配置的特点进行区分的
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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