一种集成门极吸收电路的功率半导体模块
授权
摘要
本实用新型提供一种集成门极吸收电路的功率半导体模块，属于芯片技术领域。所述功率半导体模块包括：基板；硅芯片，包括通过硅电容器技术连接的门极吸收电容和阻尼电阻，所述硅芯片的背面端子设置于所述基板上；功率半导体芯片，包括多个门极端子；第一引线，所述第一引线的一端与所述硅芯片的正面端子连接，所述第一引线的另一端与所述功率半导体芯片的一个门极端子连接；以及第二引线，所述第二引线的一端与所述硅芯片的背面端子连接，所述第二引线的另一端与所述功率半导体芯片的另一个门极端子连接。该功率半导体模块在满足滤除开关过程中门极电压波形的震荡和尖峰的需求的情况下降低了系统的设计体积。
基本信息
专利标题 ：
一种集成门极吸收电路的功率半导体模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021522866.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-28
授权号 ：
CN212750884U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
朱楠向礼辛纪元
申请人 ：
致瞻科技（上海)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区秀浦路68号1栋东区207室.208室
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
肖冰滨
优先权 ：
CN202021522866.6
主分类号 ：
H01L23/49
IPC分类号 ：
H01L23/49 H01L25/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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