一种基于基片厚度调制的微波啁啾延迟效应结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于基片厚度调制的微波啁啾延迟效应结构，包括金属地，所述金属地的前端胶接有下层介质基板，所述下层介质基板的前端设置有上层介质基板，所述下层介质基板的前端和上层介质基板的后端之间设置有多组第二层金属带，所述下层介质基板的内部设置有多组金属通孔，所述上层介质基板的前端固定连接有微带线。该基于基片厚度调制的微波啁啾延迟效应结构通过设置有微带线，使用时，微带线可以灵活制备各种微波领域的电磁结构如左手结构和电磁带隙结构，应用范围广且加工难度低，在全电磁波系统中都可以进行应用，实现了工作频率在全电磁波系统应用的功能，解决的是装置不具备工作频率在全电磁波系统应用的功能的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种基于基片厚度调制的微波啁啾延迟效应结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123377586.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
CN216450793U
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
广东智尚防务科技有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市惠城区云山西路4号德威大厦4层01号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123377586.8
主分类号 ：
H01P9/00
IPC分类号 ：
H01P9/00
法律状态
2022-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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