一种平板探测器水冷结构
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摘要

一种平板探测器水冷结构,包括平板探测器,包括设置在平板探测器上方的腔本体,腔本体的上端开设有上腔体,腔本体的下端开设有下腔体;上腔体的上方设有上盖板,上腔体的内部设有隔水栅;平板探测器的上部设置在下腔体内,平板探测器的下部设置在腔本体下方的支撑体内,支撑体的下端开设有方孔;腔本体上开设有进水孔和出水孔,进水孔与出水孔均与上腔体连通设置。本实用新型设计的平板水冷结构,采用水冷法对平板探测器进行降温,采用隔水栅结构,保证水充分流经腔体,保证冷却均匀,冷水进热水出,循环导温效率高,冷却效果好;在平板探测器外设置包铅结构,可用过滤掉散射线,成像更加清晰,分析效率高,探测效果好。

基本信息
专利标题 :
一种平板探测器水冷结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123439518.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-30
授权号 :
CN216646316U
授权日 :
2022-05-31
发明人 :
张福旺刘军陶维道丁明明
申请人 :
苏州工业园区道青科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市工业园区娄葑镇东富路8号12号厂房
代理机构 :
苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘计成
优先权 :
CN202123439518.X
主分类号 :
G01N23/04
IPC分类号 :
G01N23/04  H05K7/20  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料,例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/02
通过使辐射透过材料
G01N23/04
并形成材料的图片
法律状态
2022-05-31 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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