本发明涉及探测器技术领域，特别涉及一种双能平板探测器结构，包括第光电传感器阵列层，光电传感器阵列层包括高能传感器单元和低能传感器单元，高能传感器单元的感光区域结构为顶栅极不透明且底栅极透明的高能光敏晶体管，低能传感器单元的感光区域结构为顶栅极透明且底栅极不透明的低能光敏晶体管，通过采用光敏晶体管进行感光，光敏晶体管与薄膜晶体管具有完全兼容的制程，并通过将高能光敏晶体管的源极与漏极之间的间距设计成大于高能薄膜晶体管的源极与漏极之间的间距，将低能光敏晶体管的源极与漏极之间的间距设计成大于低能薄膜晶体管的源极与漏极之间的间距，这样可以增加感光区域的感光性能，提高感光面积，从而能够提高像素分辨率。