用以侦测漏电流的二极管测试模块及其测试方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开一种二极管测试模块及其测试方法,公开具有第一导电型的基板及形成于基板上并具有第二导电型的磊晶层。磊晶层上形成有具有第一导电型的井型区,具有第二导电型的第一、第二重掺杂区电性耦接于第一、第二输入输出端,并且理论上应形成于井型区中,其中形成有隔离沟槽提供电性隔离。当输入一操作电压时,本发明提供具有第三、第四重掺杂区的侦测单元,使其设置于第一、第二输入输出端间的电流导通路径上,通过设置侦测单元侦测是否有漏电流的产生,本发明在无须额外进行传统电容测试设备及测试时间的情况下,有效判断其井型区是否丢失。

基本信息
专利标题 :
用以侦测漏电流的二极管测试模块及其测试方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114527363A
申请号 :
CN202210002630.7
公开(公告)日 :
2022-05-24
申请日 :
2022-01-04
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
叶致廷黄菘志林昆贤庄哲豪
申请人 :
晶焱科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新北市
代理机构 :
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 :
孙皓晨
优先权 :
CN202210002630.7
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  G01R31/52  H01L21/66  H01L23/544  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-06-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20220104
2022-05-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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