一种基于p型硅基底的双面TOPCon光伏电池
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于p型硅基底的双面TOPCon光伏电池，包括在p型硅片背面依次设置的第一遂穿层、p型掺杂多晶硅层、第一钝化减反层以及背面电极；所述双面TOPCon光伏电池还包括在所述p型硅片正面依次设置的n型掺杂发射极层、第二遂穿层、n型掺杂Ga2O3层、第二钝化减反层以及正面电极。本发明的技术方案中，在双面p型TOPCon光伏电池的正面结构中采用n型掺杂Ga2O3层代替现有的重掺杂多晶硅层，n型掺杂Ga2O3层具有较大的禁带宽度(～4.8eV)，在可见光范围内具有更高的透过率，可以提高可见光的入射效率，从而有效提高光伏电池的电流输出能力。
基本信息
专利标题 ：
一种基于p型硅基底的双面TOPCon光伏电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512551A
申请号 ：
CN202210007310.0
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋志成马少华郭永刚刘大伟倪玉凤胡继超乔大勇
申请人 ：
青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;西北工业大学;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请人地址 ：
青海省西宁市东川工业园金硅路4号
代理机构 ：
深圳市铭粤知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙伟峰
优先权 ：
CN202210007310.0
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/032
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0216
申请日 : 20220106
申请日 : 20220106
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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