基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池
公开
摘要
本发明公开了一种基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池，包括在n型硅片，n型硅片一面依次设置第一遂穿层、n型掺杂多晶硅层、第一钝化减反层以及背面电极；n型硅片另一面依次设置p型掺杂发射极层、第二遂穿层、p型CuI层、第二钝化减反层以及正面电极。本发明具有提升双面n型TOPCon电池效率的特点。
基本信息
专利标题 ：
基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613868A
申请号 ：
CN202210145522.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡继超贺小敏王曦张子涵
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区金花南路5号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
许志蛟
优先权 ：
CN202210145522.5
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/0288 H01L31/18 C23C14/35 C23C14/06 C23C14/58
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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