集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法和系统
授权
摘要
本发明涉及晶体管技术领域，特别提供了一种集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法和系统，具体包括以下步骤：获取集成电路物理版图信息，版图信息只包含平面二维数据；获取FinFET的工艺参数，包括栅极沟道的具体深度参数、源漏极Fin结构的具体参数；根据得到的具体参数生成描述FinFET结构的描述文件，描述文件主要包括栅极沟道结构和源漏极Fin结构；结合三维描述语言得到完整的版图三维结构。本发明在保证结构精准的前提下更简洁，更高效的生成复杂结构，省略了复杂的层生成过程，更贴合芯片的生产过程。
基本信息
专利标题 ：
集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法和系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114021505A
申请号 ：
CN202210010288.5
公开（公告）日 ：
2022-02-08
申请日 ：
2022-01-06
授权号 ：
CN114021505B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
马胜军孙玕袁鹏飞孙延辉
申请人 ：
青岛展诚科技有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市市南区山东路39号
代理机构 ：
青岛恒昇众力知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
苏友娟
优先权 ：
CN202210010288.5
主分类号 ：
G06F30/31
IPC分类号 ：
G06F30/31 G06F30/39
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/31
设计输入，例如特别适合电路设计的编辑器
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2022-02-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/31
申请日 : 20220106
申请日 : 20220106
2022-02-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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