基于PECVD的TOPCon电池硼扩SE的制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种基于PECVD的TOPCon电池硼扩SE的制作方法，其包括如下步骤：S1：提供硅基材，并对硅基材进行制绒加工；S2：采用PECVD原位沉积工艺在硅基材上制作阻隔氧化层和原位重参杂的P‑poly层；S3：采用激光将P‑poly层中的硼推进到硅基材的细栅区域中以形成重掺区；S4：采用湿法清洗去除P‑poly层；S5：对硅基材的硼扩采用轻扩，达到SE的目的。本工艺方法制得的SE具有明显的轻重参杂区，SE区域的方阻和结深可以很方便调整而不影响太多产能，且可加工实施性强，成本低，采用PECVD原位掺杂的方式生长的P‑poly层具有高掺杂、高洁净度的特点，杂质含量低，不会像硼浆等方法一样引入脏污，能够保证加工后的TOPCon电池的使用性能。
基本信息
专利标题 ：
基于PECVD的TOPCon电池硼扩SE的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497278A
申请号 ：
CN202210016870.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何宇吴伟梁邢国强王秀鹏姚骞孟夏杰
申请人 ：
通威太阳能（眉山）有限公司
申请人地址 ：
四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
江海浪
优先权 ：
CN202210016870.2
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/225 H01L21/268
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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