一种超纯、超厚、致密铝膜的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明是关于一种超纯、超厚、致密铝膜的制备方法，该方法采用磁控溅射技术加离子干预(离子镀)的方式在金属(或合金材料)表面形成厚度可以大于50μm的超厚铝膜(或铝涂层)，其膜层孔隙率小于1％，膜层纯度大于99％，与待镀工件具有良好的界面结合力。本发明可用于3C等领域部件的装饰、半导体设备领域及集成电路设备等领域金属(或合金)部件的表面处理。
基本信息
专利标题 ：
一种超纯、超厚、致密铝膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481067A
申请号 ：
CN202210016976.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何向军张少杰
申请人 ：
沈阳富创精密设备股份有限公司
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市浑南区飞云路18甲-1号
代理机构 ：
沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
孙奇
优先权 ：
CN202210016976.2
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/14 C23C14/58
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20220108
申请日 : 20220108
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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