一种GaN产品上ESD现场管控方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种GaN产品上ESD现场管控方法，包括：获取基于切割分离旧流程下GaN产品与UV膜分离过程中对所述GaN产品所产生的第一静电影响；基于所述第一静电影响，重新设计所述GaN产品与所述UV膜的分离环境，并优化所述切割分离旧流程；获取基于优化后得到的切割分离新流程下所述GaN产品与所述UV膜分离过程中对所述GaN产品产生的第二静电影响，并基于所述第二静电影响，对ESD现场管控作业进行评估，本发明实现了在GaN产品与UV膜分离过程中，有效控制UV膜产生的静电对GaN产品产生冲击，进而提升GaN产品量产良率。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN产品上ESD现场管控方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114418206A
申请号 ：
CN202210019131.9
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘方标李德朋陈勇舒小兵饶锡林易炳川黄乙为
申请人 ：
广东气派科技有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市石排镇气派科技路气派大厦
代理机构 ：
北京冠和权律师事务所
代理人 ：
朱健
优先权 ：
CN202210019131.9
主分类号 ：
G06Q10/04
IPC分类号 ：
G06Q10/04 G06Q10/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06Q
专门适用于行政、商业、金融、管理、监督或预测目的的数据处理系统或方法；其他类目不包含的专门适用于行政、商业、金融、管理、监督或预测目的的处理系统或方法
G06Q10/00
行政；管理
G06Q10/04
预测或优化，例如线性规划、“旅行商问题”或“下料问题”
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06Q 10/04
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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