阻性负载碳化硅MOSFET半桥串扰电压峰值计算方法
实质审查的生效
摘要
阻性负载下的碳化硅MOSFET半桥串扰电压峰值计算方法，包括：在上桥器件导通后，联立上桥驱动回路和主功率回路KVL方程获得上桥栅压表达式；应用饱和区电流公式获得上桥漏电流表达式；基于损耗守恒将下桥驱动电阻等效至漏源极支路，根据等效后下桥器件与负载组成回路的KVL方程获得下桥漏源电压表达式；根据下桥驱动回路KVL方程获得串扰电压表达式，对串扰电压表达式求最值获得串扰电压峰值。本发明每个步骤均只存在单变量，实现了阻性负载下，上下桥器件驱动电压、母线电压量的解耦，获得了阻性负载下串扰电压峰值表达式；本发明可有效评估阻性负载下串扰电压的影响因素，并对保证下桥器件安全运行的参数选取范围给出指导和建议。
基本信息
专利标题 ：
阻性负载碳化硅MOSFET半桥串扰电压峰值计算方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114362491A
申请号 ：
CN202210028848.X
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许灏蔡雨萌孙鹏赵志斌
申请人 ：
华北电力大学
申请人地址 ：
北京市昌平区朱辛庄北农路2号
代理机构 ：
北京君有知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
焦丽雅
优先权 ：
CN202210028848.X
主分类号 ：
H02M1/088
IPC分类号 ：
H02M1/088 G06F17/11
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 1/088
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
