一种芯片内负升压电路及其充放电方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种芯片内负升压电路，包括电流源I3、电阻R1、电阻R2，比较器、控制单元、充放电单元，充放电单元包括可调电流源I1、可调电流源I2、电容C、N沟道型MOS管M1和M2，其中，可调电流源I1与可调电流源I2串联，可调电流源I1的输入端接电源VDD，可调电流源I2的输出端接地，NMOS管M2的漏极接地，M2的源极接NMOS管M1的漏极，M1的源极接电阻R2；电容C的一端接可调电流源I1与可调电流源I2的公共端，电容C的另一端接M2的源极与M1的漏极的公共端；控制单元用于控制可调电流源I1、I2的电流大小。本发明还提供一种负升压电路充放电方法，能够减小尖峰电流，EMI特性好，有效提高负载的驱动效率。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片内负升压电路及其充放电方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114362513A
申请号 ：
CN202210029346.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
四川创安微电子有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1388号12栋11层6号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210029346.9
主分类号 ：
H02M3/07
IPC分类号 ：
H02M3/07 H02M1/44
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 3/07
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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