基于改进的HALT试验的模拟集成电路可靠性试验方法
实质审查的生效
摘要

本发明涉及一种基于改进的HALT试验的模拟集成电路可靠性试验方法,包括在常温、最低和最高工作温度对模拟集成电路样品进行电性能测试;依次使环境温度从常温开始向低温工作极限温度和高温工作极限温度步进,并进行在线测试;找到变化幅度最大的参数作为敏感参数,并找出敏感参数变化最大时对应的温度TA;在温度TA对模拟集成电路样品进行温度应力累积试验;在最低和最高工作温度之间进行温度循环试验;在常温下对模拟集成电路样品的敏感参数进行测试,并与之前的测试结果进行对比。本发明中,对传统的HALT试验技术进行改进,能够更准确、高效率地激发出模拟集成电路的潜在缺陷,为产品的设计改进提供依据,提高产品的可靠性水平。

基本信息
专利标题 :
基于改进的HALT试验的模拟集成电路可靠性试验方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114371393A
申请号 :
CN202210029935.7
公开(公告)日 :
2022-04-19
申请日 :
2022-01-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴兆希罗俊谭骁洪林震岑政李胜玉余航
申请人 :
中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请人地址 :
重庆市南岸区南坪花园路14号
代理机构 :
重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
袁茹坤
优先权 :
CN202210029935.7
主分类号 :
G01R31/3181
IPC分类号 :
G01R31/3181  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/3181
•••性能测试
法律状态
2022-05-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/3181
申请日 : 20220112
2022-04-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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