模拟半导体集成电路和其调整方法
专利权的终止
摘要
提供具备开式漏极方式的输出部和与之相对应的偏置调整电路的模拟LSI和其调整方法。在模拟电路(12)的输出侧的内部节点(N)上，连接有作为开式漏极方式的输出部的PMOS(19)的栅极，同时连接有能够按照熔丝(32i)的切断数调整偏置电流的偏置调整电路(30)。预先利用改变阈值电压试制的多个模拟LSI(10j)，找出在输入端子(11)上流过一定电流Ic时的电压Vj，和为了在该模拟LSI(10j)的输出部上流过最合适的偏置电流的熔丝切断数的关系。在作为调整对象的模拟LSI(10)的输入端子(11)上流过一定电流Ic，然后测定电压Vx，求出与该电压Vx相对应的熔丝切断数，并切断偏置调整电路(30)内的熔丝(32i)。
基本信息
专利标题 ：
模拟半导体集成电路和其调整方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1866151A
申请号 ：
CN200610002457.1
公开（公告）日 ：
2006-11-22
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
髭本信雅田边晋司太矢隆士
申请人 ：
冲电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN200610002457.1
主分类号 ：
G05F3/24
IPC分类号 ：
G05F3/24
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F3/00
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
G05F3/02
调节电压或电流的
G05F3/08
其中变量是直流的
G05F3/10
利用具有非线性特性的非控制器件
G05F3/16
非控制器件是半导体器件
G05F3/20
应用了二极管与三极管的组合
G05F3/24
其中只用场效应型晶体管的
法律状态
2014-03-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101581060886
IPC(主分类) : G05F 3/24
专利号 : ZL2006100024571
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20100113
终止日期 : 20130126
号牌文件序号 : 101581060886
IPC(主分类) : G05F 3/24
专利号 : ZL2006100024571
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20100113
终止日期 : 20130126
2010-01-13 ：
授权
2008-06-25 ：
实质审查的生效
2006-11-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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