半导体集成电路和用于半导体集成电路的温漂补偿方法

授权

摘要

实施例涉及半导体集成电路和用于半导体集成电路的温漂补偿方法。该半导体集成电路包括：带隙基准电路，被配置为生成基准电压V_REF；温漂补偿电路，耦合至带隙基准电路，并且被配置为基于数字控制逻辑来补偿基准电压V_REF的温漂；微电流源电路，耦合至带隙基准电路，并且被配置为基于基准电压V_REF生成微电流I_OUT1；以及电流放大和测试电路，耦合至微电流源电路，并且包括运算放大器U₃、电阻R₉、电阻R₁₀、发热功率三极管Q₄、以及开关K₁、开关K₂和开关K₃，电流放大和测试电路被配置为在开关K₁、开关K₂和开关K₃接通的情况下基于微电流I_OUT1产生流过发热功率三极管Q₄的电流I_IN，以使得发热功率三极管Q₄变热，从而改变带隙基准电路所处环境的温度。

基本信息

专利标题：

半导体集成电路和用于半导体集成电路的温漂补偿方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112711290A

申请号：

CN202011535165.0

公开（公告）日：

2021-04-27

申请日：

2020-12-23

授权号：

CN112711290B

授权日：

2022-05-13

发明人：

黄海龙陈建章赵双龙

申请人：

杭州晶华微电子股份有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市滨江区长河街道长河路351号4号楼5层A座501室

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

吕世磊

优先权：

CN202011535165.0

主分类号：

G05F1/567

IPC分类号：

G05F1/567