半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路
专利权的终止
摘要
实现半导体集成电路性能的最佳化以及降低消耗功率的半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路。该半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路中，各个功能电路块(400a至400n)由形成在SOI结构的硅衬底上的MIS晶体管构成，并具有至少一组由高电位端电位、低电位端电位、P沟道MIS晶体管的衬底电位以及N沟道MIS晶体管的衬底电位构成的电位组，多个电源布线对所述电位组所包含的各个电位提供电压，控制器(200)决定分别对所述多个电源布线产生的电压的值，并指示电源控制IC(300)产生所决定的值的电压，电源控制IC(300)基于控制器(200)的指示，分别对所述多个电源布线产生电压。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101128929A
申请号 ：
CN200680006243.X
公开（公告）日 ：
2008-02-20
申请日 ：
2006-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伊藤稔志村秀吉
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
黄小临
优先权 ：
CN200680006243.X
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L21/82 H01L27/04 H01L27/08 H01L29/786 H03K17/687 H03K19/0175 H03K19/0185 H03K19/094 H03K19/0948 H03K17/30
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2018-03-09 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/822
申请日 : 20060217
授权公告日 : 20110406
终止日期 : 20170217
申请日 : 20060217
授权公告日 : 20110406
终止日期 : 20170217
2011-04-06 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2008-02-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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